韩媒：长鑫存储预告推出“新一代DRAM”，能否缩小与三星、SK海力士的技术差距？

作者：裴智贤（记者）      来源：韩民族日报

10月14日，韩国规模最大的半导体技术展会“半导体大展”（SEDEX 2026）在首尔江南区COEX会展中心举行。正在参观展区的三星电子社长兼首席技术官（CTO）宋在爀被问道：“三星电子也在研发4F²技术吗？”前一天，中国长鑫存储（CXMT）开发采用4F²结构的用于服务器的DDR5动态随机存取存储器（DRAM）的消息，引发三星电子、SK海力士等韩国半导体企业股价暴跌，也让韩中半导体技术差距究竟有多大成为焦点。中国半导体产业究竟已经追赶到了哪一步？

10月14日，首尔江南区COEX会展中心，SK海力士社长安炫在第28届半导体大展（SEDEX 2026）上发表主旨演讲。（图片来源：韩联社）

中国海关总署当天公布的数据显示，今年9月，中国半导体（集成电路）出口额为449.51亿美元，同比增长136%。在当月4471.8亿美元的出口总额中，半导体占比为10.1%，较去年9月的5.8%几乎翻番。出口额的增长，相当一部分可能源于存储芯片价格飙升。不过，中国的出口额可能也包含三星等外国企业在华生产的产品。

尽管如此，长鑫存储等中国半导体企业出口增加，仍值得关注。从中可以看出，面对美国的半导体技术遏制，中国仍在通过扩大产能等举措，加快构建自主半导体产业生态。此外，长鑫存储近日表示，将在年底前推出采用下一代DRAM结构“4F²”的用于服务器的DDR5 DRAM。半导体晶圆制造工艺所能实现的最小特征尺寸以“F”表示，4F²则表示单个存储单元所占的面积。相比当前DRAM普遍采用的6F²结构，4F²可将单个存储单元的面积缩小约33%，从而在相同面积内排列更多存储单元，增加存储容量。随着仅靠缩小电路线宽的微缩工艺越来越难以提高集成度，这一结构被视为下一代技术的备选方案。三星电子和SK海力士也在研发这一技术，据悉，三星电子以2028年前后实现量产为目标。

长鑫存储的这一尝试，释放出绕过美国半导体设备出口管制的信号。自特朗普第一届政府时期起，制造最先进制程芯片所需的关键设备——极紫外（EUV）光刻设备便被禁止向中国出口。为寻找应对办法，中国加快了浸没式深紫外（DUV）光刻设备的自主研发，而4F²技术也可以通过深紫外设备实现。成均馆大学半导体融合工程系教授李宇根解释说：“采用现有的深紫外设备，缩小线宽存在局限，需要反复刻蚀、叠加处理，良率可能会下降，但这表明技术上是可行的。中国内需市场庞大，即使良率稍低，也能承受。”中国此前也采取过类似策略，跨越燃油车领域，凭借电动汽车不断抢占全球汽车市场。

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大量涌入中国半导体企业的资金，为上述尝试提供了支撑。市场调查机构集邦咨询（TrendForce）发布的数据显示，今年第二季度，三星电子、SK海力士和美光在全球DRAM营收中所占份额分别为39.4%、24.9%和23.3%，长鑫存储以9.5%紧随其后。长鑫存储的份额已增至去年第一季度（4.1%）的两倍多。领先企业集中生产高带宽存储器（HBM），导致通用型DRAM供应短缺，长鑫存储因此受益于市场份额扩大和价格暴涨。长鑫存储的母公司长鑫科技今年上半年的营业利润率高达77.9%。今年7月，该公司在上海证券交易所上市，募资约666亿元人民币。对外经济政策研究院资深研究委员郑衡坤表示：“中国先靠通用型DRAM扩大市场份额，再以积累的经验为基础，不断升级。由于大部分电子产品都在中国境内制造，芯片越高端，需求方也就越广。”

不过，仅凭长鑫存储的宣布，就认为其与韩国半导体企业的差距已经迅速缩小，为时尚早。研发出面积更小的存储单元，与以稳定良率实现大规模生产，是两回事。尤其是服务器内存，可靠性和客户认证至关重要。祥明大学系统半导体工程系教授李钟焕（音）表示：“年底能否真正实现量产，还需观察。但如果成功改变了结构，至少说明其已具备相应技术能力。韩国企业也需要加快先进技术的实际研发及量产步伐。”

作者：裴智贤（记者）      来源：韩民族日报